| 专利名称 | 一种MOS器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110329077.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103077969A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种MOS器件及其制造方法 至一种MOS器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述器件包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的沟道；形成在沟道上的栅堆叠以及围绕所述栅堆叠的侧墙；以及形成在侧墙两侧的衬底中的源/漏极；其中所述栅堆叠由绝缘层和其上的多层金属栅构成，所述多层金属栅由用于向所述沟道引入应力的应变金属层、用于调节金属栅的功函数的功函数调节层构成，所述功函数调节层从底部与侧面围绕应变金属层。多层金属栅结构克服了常规的应变金属栅材料不能同时满足功函数调节和施加的应变效果最优化的缺陷。 |
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