| 专利名称 | 功率半导体器件的背面集电极结构 | 申请号 | CN201310013013.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103077962A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 陈宏;朱阳军;邱颖斌;徐承福;吴凯 | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | 功率半导体器件的背面集电极结构 至功率半导体器件的背面集电极结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。 |
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