专利名称 | 一种偏置电路 | 申请号 | CN201210587443.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN103078597A | 公开(授权)日 | 2013.05.01 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 陈岚;吕志强 | 主分类号 | H03F3/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F3/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种偏置电路 至一种偏置电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种偏置电路,包括第一NMOS管和第二NMOS管以及第一PMOS管和第二PMOS管的基本偏置电路,还包括启动电路,所述启动电路的一端与所述第一NMOS管的漏极连接,另一端与所述第一PMOS管的漏极连接,用于在所述偏置电路的电源上电时,为所述偏置电路中的PMOS管和NMOS管提供导通压降,其中,所述启动电路为一个电容。本发明提供的启动电路在偏置电路启动后,电容处于关断状态,此时启动电路不产生功耗,即无功耗,从而节约了电能。此外,由于启动电路的电容面积较小,减轻了电路设计、版图布线的难度,相对减小了电路的版图面积。 |
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