| 专利名称 | 单片集成红外焦平面探测器 | 申请号 | CN201310024184.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103076099A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;王玉光;陈大鹏 | 主分类号 | G01J5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/00(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成红外焦平面探测器 至单片集成红外焦平面探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种单片集成红外焦平面探测器，包括：衬底；TFT信号读出电路阵列以及TFT信号处理电路阵列，位于衬底之上；红外探测像素单元阵列，位于TFT信号读出电路阵列之上。相应地，本发明还提供了单片集成红外焦平面探测器的制造方法。本发明利用非晶态氧化物半导体的高迁移率、高均匀性和简单工艺的特性，将处理电路、读出电路与探测器阵列集成制作在同一衬底基板上。实现了制作探测器与读出电路的全薄膜工艺，在工艺流程上一次完成，因而降低了制作成本。 |
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