| 专利名称 | 一种辐射加固设计的寄存器电路 | 申请号 | CN201310008116.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103077746A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴利华;于芳 | 主分类号 | G11C19/28(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C19/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种辐射加固设计的寄存器电路 至一种辐射加固设计的寄存器电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种辐射加固设计的寄存器电路，包括第一级主锁存器、第二级从锁存器、第一反相器和第二反相器。第一级主锁存器有2个数据输入，分别来自寄存器的数据输入di及寄存器的互补数据输入dib；第一级主锁存器有1个时钟输入ck；第一级主锁存器有2个数据输出，分别为锁存数据ql及互补的锁存数据qlb；第二级从锁存器有2个数据输入，分别来自第一级主锁存器的数据输出ql及互补的数据输出qlb；第二级从锁存器有1个时钟输入ck，来自寄存器的互补时钟输入ckn；第二级从锁存器有2个数据输出，分别为寄存器的寄存数据rq及互补的寄存数据rqb。利用本发明，增强了该寄存器的抗辐照性能，并且在提高寄存器抗辐照性能的同时，并未带来过多的面积消耗。 |
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