| 专利名称 | 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 | 申请号 | CN201310010357.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103074674A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冉军学;胡强;胡国新;梁勇;熊衍凯;王军喜;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | C30B25/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/14(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 专利有效期 | 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 至用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。 |
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