| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201090000829.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202930361U | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底(1001)，在半导体衬底(1001)上形成晶体管结构，该晶体管结构包括栅极区(100)以及源漏区(200)，栅极区包括在半导体衬底(1001)上形成的栅极介质层(1002)以及在栅极介质层(1002)上形成的牺牲栅(1003)；沉积第一层间介质层(1006)，对第一层间介质层(1006)平坦化以露出牺牲栅(1003)；去除牺牲栅(1003)以形成替代栅孔(1003′)；在第一层间介质层(1006)中与源漏区相对应的位置形成第一接触孔(1009)；以及在第一接触孔(1009)以及替代栅孔(1003′)填充第一导电材料，形成第一接触部(1010)和替代栅(1003”)，第一接触部(1010)与源漏区相接触。由于替代栅和第一接触部可在同一步骤中通过沉积相同材料来形成，因此简化了制造工艺。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障