| 专利名称 | 一种三维芯片及其组合结构和制造方法 | 申请号 | CN201110336147.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094227A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘静 | 主分类号 | H01L23/44(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/44(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维芯片及其组合结构和制造方法 至一种三维芯片及其组合结构和制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三维芯片及其组合结构和制造方法，涉及芯片制造技术领域。所述三维芯片包括：基底、内围栏、元件和液态金属；所述元件设置在所述基底与内围栏所构成的封闭的内腔体中且固定在所述基底上；所述液态金属填充于所述内腔体中。所述三维芯片及其组合结构和制造方法，通过将元件完全浸润在液态金属中，从而有效降低芯片内部各介质间的热阻，增强芯片的散热性能。同时，在所述元件表面设置了绝缘层，保证绝缘的同时有效防止了元件被液态金属所腐蚀。 |
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