| 专利名称 | 银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201310013380.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103088388A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 游巧;费广涛;许少辉 | 主分类号 | C25D11/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/12(2006.01)I;C25D11/18(2006.01)I;C25D11/16(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C25D3/46(2006.01)I;C25D3/54(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途 至银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种银-铋超晶格纳米线阵列及其制备方法和用途。阵列为一面覆有金膜的氧化铝模板的孔中置有银纳米线与铋纳米线交替连接成的一维超晶格纳米线组成的阵列，其中，金膜的厚度为200～400nm，银纳米线的线直径为55～65nm、线长为100～200nm，铋纳米线的线直径为55～65nm、线长为65nm～2μm；方法为先使用二次阳极氧化法得到孔直径为55～65nm的通孔氧化铝模板，再于通孔氧化铝模板的一面镀金膜，接着，先将一面镀有金膜的氧化铝模板置于银电解液中，于直流电压为0.4～0.6V下电沉积25～35s，再将其置于铋电解液中，于直流电压为0.9～1.3V下电沉积45～600s，制得银-铋超晶格纳米线阵列。它可用于测试铋纳米线的长径比与其熔化特性之间的关系。 |
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