| 专利名称 | 单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法 | 申请号 | CN201310019746.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094832A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张灿;梁松;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/026(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法 至单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底1；在该衬底1上依次外延生长缓冲层2、多量子阱有源区3；在多量子阱有源区3的表层采用全息曝光刻蚀制作均匀光栅4；在均匀光栅4上生长包层5和电接触层6；采用常规光刻、刻蚀工艺，在电接触层6上制作出脊波导结构7；在制作的脊波导结构7上生长一层钝化层8；采用常规光刻开出正面电极窗口后，在钝化层8上溅射钛、金金属薄膜；在金属薄膜上涂覆光刻胶，一次光刻出正面电极图形9和薄膜电阻压焊电极图形10以及薄膜电阻区11；二次光刻、选择腐蚀形成钛薄膜热电阻条11；磷化铟衬底1减薄后在衬底1的背面制作背面电极12，完成管芯制作。 |
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