| 专利名称 | 一种In-Se基热电材料的制备方法 | 申请号 | CN201110046031.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102154692A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 蒋俊;张秋实;张婷;李炜;许高杰 | 主分类号 | C30B28/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B28/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种In-Se基热电材料的制备方法 至一种In-Se基热电材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种In-Se基热电材料的制备方法，该方法首先采用熔炼法合成In-Se材料，得到元素分布均匀的In-Se化合物，然后采用区熔生长法，通过优化熔融温度、熔区宽度、生长速度等工艺参数，制备具有良好晶粒取向性的In-Se基大块多晶材料。与现有的熔炼、球磨结合热压或放电等离子烧结制备工艺相比，本发明的制备方法能够得到晶粒取向性好、热电性能高的In-Se基热电材料，同时能够缩短制备时间、降低能耗。 |
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