| 专利名称 | 纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法 | 申请号 | CN201310025559.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103060758A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 曹则贤;鲁年鹏;纪爱玲;鲁振;高磊 | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法 至纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束层积方法，包括：1）将硅酸盐玻璃作为衬底置于PED的真空腔体沉积室的样品台上，衬底与靶材之间的距离为40mm；2）当本底真空度低于10-4Pa时，通入氩气，调节工作气压为0.1～0.3Pa，控制衬底温度在室温（20°C）到300°C之间进行硅薄膜的沉积，获得纳米或微米硅薄膜。本发明采用PED方法以衬底温度作为控制参数沉积纳米和微米硅薄膜，当衬底温度较低时，由电子束与靶直接相互作用形成的硅纳米团簇就会形成，沉积到薄膜上时，被镶嵌在非晶硅的基质中，形成纳米硅薄膜。当衬底温度升高时，硅的颗粒尺寸就会逐渐变大，其中衬底温度达到300°C时，由于衬底的热效应导致硅团簇的聚集和长大，最终达到微米尺寸。 |
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