| 专利名称 | 一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体 | 申请号 | CN201310030359.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103065758A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 倪志鹏;王秋良;胡格丽;严陆光 | 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体 至一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种超短腔自屏蔽磁共振成像超导磁体，由超导正向主线圈(2.1、2.2、3)、超导反向主线圈(4)、超导屏蔽线圈(5)、超导轴向匀场线圈组(6)和超导径向匀场线圈组(7)组成。所有线圈均安装在预布置线圈区域(1)范围内。超导正向主线圈(2.1、2.2、3)、超导反向主线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)通电情况下，在直径为30cm的球形成像区域(10)内产生磁场强度为1.5T、磁场峰峰值不均匀度为10ppm的空间磁场分布。超导轴向匀场线圈组(6)和超导径向匀场线圈组(7)产生的矫正磁场使得直径为50cm的球形成像区域(11)内的磁场峰峰值不均匀度由777ppm提高至10ppm。预布置线圈区域(1)的轴向长度、内直径和外直径分别为1.10m、1.00m和1.75m，满足全身成像的需求。 |
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