| 专利名称 | 一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法 | 申请号 | CN201310005426.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103066157A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法 至一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，通过在InP基普通InGaAs半导体异变缓冲层上外延一层反向失配超薄外延层来实现降低异变材料表面粗糙度，其厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度，一般为0.5-5nm。本发明不需要在过低的生长温度下生长材料，避免引入多余背景杂质，工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。 |
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