| 专利名称 | 锗纳米管的制备方法 | 申请号 | CN201310032667.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103056389A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 李祥东;孟国文 | 主分类号 | B22F9/26(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F9/26(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 锗纳米管的制备方法 至锗纳米管的制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种锗纳米管的制备方法。它先使用二次阳极氧化法得到通孔氧化铝模板，再将其置于硝酸镍水溶液中浸泡后，去除其表面的硝酸镍，得到孔中置有硝酸镍的通孔氧化铝模板；接着，先将孔中置有硝酸镍的通孔氧化铝模板置于氢氩混合气氛中，于300～380℃下还原反应10～30min，再将其置于锗烷氢氩混合气氛中，于300～380℃下气相沉积10～30min，得到孔中置有锗纳米管的氧化铝模板；之后，将孔中置有锗纳米管的氧化铝模板置于碱溶液中去除氧化铝模板，制得锗与镍之间的原子含量之比为95.05～99.95%:0.05～4.95%的非晶态锗中均匀地扩散有镍构成的锗纳米管。它为研究锗纳米管的光、电等特性及其应用提供了可能，并有望将其广泛地应用于微光、电子器件等领域。 |
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