| 专利名称 | 利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备 | 申请号 | CN201310013398.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103077995A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备 至利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在InkGa1-kAs吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型InkAl1-kAs缓冲层，所述缓冲层同时作为下接触层；生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长应变补偿超晶格电子阻挡插入层，掺杂情况与吸收层相同为低掺杂N型；继续生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长高掺杂N型InkAl1-kAs上接触层，完成此探测器结构材料的生长。本发明能够利用电子阻挡层降低探测器暗电流。 |
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