| 专利名称 | 一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法 | 申请号 | CN201310017106.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103072942A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李冬梅;陈鑫;梁圣法;牛洁斌;张培文;刘宇;李小静;詹爽;张浩;罗庆;谢常青;刘明 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法 至一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀，将衬底表面生长的Ni层刻掉，只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列；将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中，通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来；将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化，得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。本发明简单实用，掺杂后的传感器对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都将有很大的改善。 |
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