| 专利名称 | 一种制备单晶硅纳米结构的方法 | 申请号 | CN201110296168.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035477A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 俞骁;李铁;王跃林 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G03F1/42(2012.01)I | 专利有效期 | 一种制备单晶硅纳米结构的方法 至一种制备单晶硅纳米结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备单晶硅纳米结构的方法，属于纳米加工技术领域。该方法利用硅材料的各向异性腐蚀特性，通过在制作腐蚀窗口时引入晶向偏转角，实现用大线宽腐蚀窗口在单晶硅各项异性湿法腐蚀后直接形成单晶硅纳米结构。本发明中的偏转角通过掩膜版上的晶向对准标记可实现精确控制，整个工艺过程简单高效，可实现大规模制做，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。 |
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