一种安全性高的原子层沉积设备

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专利名称 一种安全性高的原子层沉积设备 申请号 CN201110300052.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103031532A 公开(授权)日 2013.04.10 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 主分类号 C23C16/44(2006.01)I IPC主分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 专利有效期 一种安全性高的原子层沉积设备 至一种安全性高的原子层沉积设备 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种半导体工艺设备,尤其是涉及一种安全性高的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备,包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和控制部件;控制部件包括触摸屏、工控机和数据处理模块;触摸屏与所述工控机连接,工控机与数据处理模块连接,数据处理模块分别与真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接。本发明通过采用触摸屏、工控机和数据处理模块取代计算机作为控制器件,使得整个设备结构简洁清晰,便于组装、生产和维护,能够有效防止意外事故对设备的损坏。

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