| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110300840.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035711A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制作方法，该方法的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体基体；在所述半导体基体的侧壁上形成介质膜；去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体，形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相对应的侧壁上形成倒掺杂阱结构。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互对应的侧壁形成倒掺杂阱结构，可以有效地减小源/漏耗尽层的宽度，从而降低短沟道效应。 |
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