| 专利名称 | 结终端延伸结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110166489.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842609A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 田晓丽;朱阳军;吴振兴;卢烁今 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 结终端延伸结构及其制造方法 至结终端延伸结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。通过场板结构屏蔽延伸区及其外侧界面电荷的影响，改善表面电场，保证器件的击穿电压并提高器件的可靠性，可应用于高压(4500V及其以上)IGBT器件的保护终端。 |
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