| 专利名称 | IGBT芯片及其制作方法 | 申请号 | CN201110170508.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842610A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈宏;胡少伟;卢烁今;吴振兴;朱阳军 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | IGBT芯片及其制作方法 至IGBT芯片及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极电阻，该补偿电阻的大小可根据IGBT芯片的需求进行调整，以避免IGBT模块电路中的自激振荡。由于该补偿电阻区位于栅极焊盘下方，不会占用IGBT芯片内部的面积、体积，并且该补偿电阻区是在IGBT芯片生产过程中集成在芯片内部的，在IGBT芯片生产时只需增加补偿电阻区的形成过程即可，因此该IGBT芯片的制作方法工艺简单易行，并未增加电路的设计成本。 |
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