| 专利名称 | MOSFET及其制造方法 | 申请号 | CN201110170497.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842617A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET及其制造方法 至MOSFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括，SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；源区和漏区，所述源区和漏区嵌于所述半导体层中且位于所述栅堆叠两侧；沟道区，嵌于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；其中，所述MOSFET还包括背栅和补偿注入区，所述背栅嵌于所述半导体衬底中，所述补偿注入区位于所述沟道区下方且嵌于所述背栅中，所述背栅的掺杂类型与所述补偿注入区的掺杂类型相反。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节。 |
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