| 专利名称 | 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 | 申请号 | CN201210325765.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102839417A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王建霞;李志伟;赵桂娟;桑玲;刘长波;魏鸿源;焦春美;杨少延;刘祥林;朱勤生;王占国 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 至一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。 |
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