| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110306988.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050524A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；第一栅极和第二栅极，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁的中间区域上；第三栅极，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；源/漏区，位于分别与所述两个半导体鳍片两端相连接的源/漏结构内；源/漏延伸区，分别位于所述第一栅极和第二栅极两侧的半导体鳍片内；栅介质层，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极与所述两个半导体鳍片之间；接触层，位于所述源/漏延伸区的侧表面上。本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明有效地减小了双鳍型半导体结构源/漏延伸区的接触电阻，提高了性能。 |
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