| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110306885.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050403A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;于伟泽 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲栅，位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区；形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层；去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔；在空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层；在空腔的其余空间形成第二氧吸收层，第一氧吸收层的氧吸收能力小于第二氧吸收层；进行退火以使得所述衬底的表面形成界面层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在沟道区形成对称的界面层，在有效控制短沟道效应并保证载流子迁移率不下降的情况下，降低了工艺复杂度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障