| 专利名称 | 离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置 | 申请号 | CN201110279403.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103018313A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 高晓光;贾建;李建平;何秀丽 | 主分类号 | G01N27/62(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/62(2006.01)I;G01N1/24(2006.01)I;G01N1/44(2006.01)I | 专利有效期 | 离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置 至离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置，涉及离子迁移率谱仪技术，该装置包括采样部分、半透膜进样部分和解吸部分，其中半透膜进样部分包括半透膜、半透膜温控装置；在离子迁移率谱仪半透膜富集进样过程中，采样时半透膜处于室温，而解吸时利用半透膜温控装置将半透膜加热至80℃～300℃。由于采样过程中半透膜处于室温，有利于被测物在半透膜中的富集；而解吸过程中半透膜加热至80℃～300℃，有利于其中富集的被测物在热解吸的同时更有效地透过半透膜进入离子迁移率谱仪漂移管。采用本发明装置及方法有效地降低离子迁移率谱仪的检测下限。 |
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