| 专利名称 | 高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法 | 申请号 | CN201110281114.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022220A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明（设计）人 | 黄维;常少辉;刘学超;王乐星;庄击勇;陈辉;施尔畏 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I | 专利有效期 | 高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法 至高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。 |
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