| 专利名称 | 多栅器件的形成方法 | 申请号 | CN201110182408.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856205A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 多栅器件的形成方法 至多栅器件的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。本发明能够以简单的工艺实现鳍部之间的隔离，其成本较低，便于大规模工业应用。 |
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