| 专利名称 | 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 申请号 | CN201210348006.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842613A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;王翠梅;肖红领;彭恩超;冯春;姜丽娟;陈竑 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 至双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。 |
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