| 专利名称 | 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路 | 申请号 | CN200810118973.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101662263 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈高鹏;陈晓娟;刘新宇;李滨 | 主分类号 | H03F3/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F3/60(2006.01)I | 专利有效期 | 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路 至针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其 特征在于，该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹 配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该 微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的 栅极，该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配 场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常 见的低频振荡，提高放大器稳定性，拓宽偏置电路带宽，只引入很低的插 入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率 放大器。 |
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