| 专利名称 | 应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法 | 申请号 | CN200810119085.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101661993 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;刘明;涂德钰;甄丽娟;刘舸;刘兴华 | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 专利有效期 | 应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法 至应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机 半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属 薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第一层金属薄膜与有机半导体 薄膜直接接触，该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构， 该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第二层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，且该第二层金属薄膜 与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构 的制备方法。利用本发明，能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本， 推动有机电路的实用化。 |
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