| 专利名称 | 相变存储单元器件的复合电极结构 | 申请号 | CN200810042218.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101661992 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;丁晟;刘波;凌云;陈小刚;蔡道林;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储单元器件的复合电极结构 至相变存储单元器件的复合电极结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元 下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆 相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于 结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材 料除电极外被高密度的SiO2等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元 的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证 相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度， 提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性 差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。 |
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