| 专利名称 | 已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法 | 申请号 | CN200910307846.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101661885 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵妙;王鑫华;刘新宇;魏珂;郑英奎 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法 至已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法，属于半导体技术 领域。所述方法包括：采用丙酮和乙醇对已减薄或划片的氮化镓基场效应管进行清洗处理； 将清洗处理后的氮化镓基场效应管置于保护性气体中进行退火处理，退火处理的温度为 200-400℃，退火时间为30-60小时。通过本发明的上述技术方案，采用长时间的慢退火方法 处理氮化镓基场效应管，可以解决目前因进行减薄、划片后导致的场效应管直流性能退化的 问题，并且器件直流性能的提高将进而提高器件的功率性能，而且氮化镓基场效应晶体管在 退火后特性参数得到了稳定，进而提高了器件的可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障