| 专利名称 | 一种提高GaN HEMT退火成功率的方法 | 申请号 | CN200910091630.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101661877 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王鑫华;赵妙;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高GaN HEMT退火成功率的方法 至一种提高GaN HEMT退火成功率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技 术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得 的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，Vr1/4为横坐标的电流电压 曲线；根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状，判断是否对 GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲 线，对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断，从而选择性地对器 件进行退火，以降低退火后器件失效的数量，提高器件的退火成功率，同时 节约了成本。 |
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