| 专利名称 | 一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法 | 申请号 | CN200910195700.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101661808 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;万冬云 | 主分类号 | H01B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法 至一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于宽禁带导电半导体材料制备领域，具体涉及一种多掺杂氧化锌基宽禁带导 电材料及其制备方法。本发明的多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料由掺杂物源和锌源经混合、 烘干、研磨、预烧、压模成型及烧结制得。本发明获得的高性能氧化锌基宽禁带导电材料 制备工艺简单，成本低廉，具有很高的透明导电性能以及在高温潮湿环境下较高的稳定性 能，可以作为高性能透明导电氧化锌薄膜制备的靶材，在太阳能电池和光电器件领域具有 广泛的应用前景。 |
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