| 专利名称 | 一种多孔氧化钨薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200910192095.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101660124 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 徐刚;黄志峰;黄春明;徐雪青;苗蕾 | 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多孔氧化钨薄膜的制备方法 至一种多孔氧化钨薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种多孔氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：采用钨靶、 铝靶双靶磁控共溅射的工艺把钨、铝沉积在基片上，形成钨-铝合金薄膜；把所得到的钨-铝 合金薄膜浸入碱性溶液中进行选择性腐蚀氧化，最后在基片上得到了多孔氧化钨薄膜。该方 法制得的多孔氧化钨薄膜孔径分布均匀，孔径平均大小为100nm左右。本发明具有下列明显 先进性和独创性：制备简单，工艺参数容易控制，孔隙度及孔径大小可控，孔径分布均匀。 其产品结构和性质非常适用于制作电致变色器件和气敏器件。 |
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