| 专利名称 | 阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN200910195702.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101660121 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;万冬云 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法 至阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜，所述掺杂的阳离子为高 价阳离子Mn+，n为3、4、5或6；所述掺杂的阴离子为低价阴离子Xm-，m＝1。本发明采 用高真空磁控溅射技术(High-vacuum Magnetron Sputtering)，利用高价阳离子和低价阴离 子双重促进氧化锌薄膜的n型透明导电性能，制备出高性能的阴阳离子共掺氧化锌多晶薄 膜。含低价阴离子的化合物作为助熔剂还可以促进氧化锌基多晶薄膜的结晶，提高薄膜的 可见透光性和电子导电性性能。本发明获得的高性能氧化锌基透明导电薄膜制备工艺简单， 可见透明和导电性能优越，成本低廉，在太阳能电池和光电器件领域具有广泛的应用前景。 |
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