| 专利名称 | 一种纳米复合相变材料及其制备与应用 | 申请号 | CN200910195481.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101660118 | 公开（授权）日 | 2010.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋三年;宋志棠;封松林 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/38(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米复合相变材料及其制备与应用 至一种纳米复合相变材料及其制备与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发 明的纳米复合相变材料用HfO2与相变材料复合而成，其中，HfO2的重量百分比为12-36％， 相变材料的重量百分比为64-88％。本发明的纳米复合相变薄膜应用到存储器中，有利于实 现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据 保持能力、疲劳特性和抗辐照能力。 |
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