多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置

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专利名称 多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置 申请号 CN200910063271.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101656537 公开(授权)日 2010.02.24 申请(专利权)人 中国科学院武汉物理与数学研究所 发明(设计)人 张奕;云恩学;邓威;赵劼成;顾思洪 主分类号 H03L7/26(2006.01)I IPC主分类号 H03L7/26(2006.01)I;G01R33/032(2006.01)I;G01J3/45(2006.01)I 专利有效期 多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置 至多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种多脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的制备方法及装置,其步 骤是:A.将直流电流和微波耦合进激光管;B.扫描直流得到多个多普勒吸收 峰,将直流电流固定在最大峰对应电流;C.同步控制微波源扫描、2FSK调制, 并控制光通断;D.采集信号,数字解调。其装置是:精密电流源、微波源分别 与Bias-Tee相连,Bias-Tee、温控A分别与VCSEL相连,光路中依次有光衰减 片、AOM、87Rb原子蒸汽泡、光电池。AOM与AOM驱动相连。87Rb原子蒸汽 泡外面是C场线圈和磁屏蔽,温控B与87Rb原子蒸汽泡相连,光电池、PC分 别与电流电压转换电路相连,FPGA分别与微波源、AOM驱动、PC、晶振相连。 该条纹比一般的双脉冲干涉Ramsey-CPT条纹的谱线宽度更窄,对比度更高,可 应用于制造高性能的原子频标。

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