| 专利名称 | 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 | 申请号 | CN200910307689.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101656208 | 公开（授权）日 | 2010.02.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李永亮;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 至一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，属于集成电路制造技术领域。所 述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成TaN金 属栅电极层，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图 形；采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀；采用 湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜，采用湿法腐蚀TaN金属栅电极 层时，可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除；另外，采用湿法腐蚀液去除剩余的非 晶硅硬掩膜时，对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高，不存在兼容性问题。 |
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