| 专利名称 | 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 | 申请号 | CN200910092439.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101655883 | 公开（授权）日 | 2010.02.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王鑫华;赵妙;刘新宇 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 至一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器 件技术领域。所述方法包括以下步骤：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中 的第三段曲线对应的物理过程，所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述 第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管 上，所述第三段曲线包括一段线性区；对所述第三段曲线进行线性拟合得到 斜率为k3的直线，根据所述直线的斜率k3，求出第一二极管的肖特基接触的 理想因子n1和实际势垒高度φ1。本发明的参数提取方法是针对GaN HEMT器件 高温存储后肖特基正向I-V特性曲线出现凹进的新现象而提出的，应用所述 方法提取的参数值与实际值基本吻合。 |
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