| 专利名称 | 柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法和电沉积装置 | 申请号 | CN200810012902.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101654784 | 公开（授权）日 | 2010.02.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 成会明;裴嵩峰;杜金红;曾尤 | 主分类号 | C23C26/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C26/00(2006.01)I;B05D5/12(2006.01)I;C25D13/02(2006.01)I | 专利有效期 | 柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法和电沉积装置 至柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法和电沉积装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种柔性碳纳米管透明导电薄膜材料的制备方法和电沉积装置， 适用于制备均匀且具有较高透明导电性的柔性透明导电薄膜。将碳纳米管利用阴 离子型表面活性剂在超声波作用下分散在水溶液中，离心后取上清液作为镀液， 用氨水调节镀液为碱性；采用电沉积的方法将分散在镀液中的碳纳米管均匀的沉 积在抛光的不锈钢电极表面上，得到膜厚在20～200nm的均匀碳纳米管薄膜；将 碳管薄膜转移到柔性的透明聚合物基片表面，构成柔性透明导电薄膜。电沉积装 置主要包括一个可调稳压直流电源和包含不锈钢惰性电极片的长方形电泳槽，碳 纳米管在经抛光处理的正极片上沉积成膜。本发明方法和电沉积装置简单、工艺 参数易控制，可用于柔性透明导电膜的大面积、连续制备。 |
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