| 专利名称 | 一种具有功能特性的异质结场效应管 | 申请号 | CN200810118114.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101651151 | 公开（授权）日 | 2010.02.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 吕惠宾;杨芳;何萌;金奎娟;杨国桢 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有功能特性的异质结场效应管 至一种具有功能特性的异质结场效应管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有功能特性的异质结场效应管，包括在n型或p型衬 底1上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，在p型或n型钙钛矿氧化物材 料层上刻蚀一槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧 化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料，并且在源极和漏极 之上的栅绝缘材料部分分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极 引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备漏电极，在栅绝缘材料上制备栅 电极7。源极和漏极还可以由两层或两层以上的钙钛矿氧化物p-n异质结材料 组成。本发明提供的硅和氧化物场效应管不仅把钙钛矿氧化物和硅电子学结合 起来，具有功能特性。 |
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