| 专利名称 | 一种全氧化物异质结场效应管 | 申请号 | CN200810118113.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101651150 | 公开（授权）日 | 2010.02.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 吕惠宾;杨芳;何萌;金奎娟;杨国桢 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种全氧化物异质结场效应管 至一种全氧化物异质结场效应管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p 型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀 一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极， 另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料 层，并且在位于源极和漏极之上的栅绝缘材料层上分别刻蚀一源电极引线孔 和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备 漏电极，在栅绝缘材料上制备栅电极。由于本发明提供的全氧化物场效应管 不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点 也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境 条件下。 |
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