| 专利名称 | 二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200810118107.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101649483 | 公开（授权）日 | 2010.02.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘春艳;张森;刘云 | 主分类号 | C30B7/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B7/14(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法 至二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，特别涉及一种利用液 相化学沉积(LPD)过程可在多种基底表面构建二氧化钛纳米棒阵列薄膜的方 法。将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐水溶液中，于30～100℃下恒 温，在基底表面生长出二氧化钛纳米棒阵列，将基底取出，清洗、干燥后， 即可得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。本发明得到的纳米棒 阵列薄膜与基底结合牢固；纳米棒有序排列于基底表面；纳米棒的形貌和尺 寸较为均一；纳米棒的生长方向基本垂直于基底。本发明制备方法简单，制 备过程中不需要添加任何表面活性剂，也不需要任何模板辅助，后处理过程 简单易行。 |
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