| 专利名称 | 一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法 | 申请号 | CN201210046550.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593686A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 程军胜;王秋良;戴银明;王晖;宋守森 | 主分类号 | H01R43/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01R43/00(2006.01)I;H01R4/68(2006.01)I | 专利有效期 | 一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法 至一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头的制备方法，制作步骤依次为：腐蚀Nb3Sn超导体多芯线端部的青铜基体，露出散开的稳定芯和Nb丝；将待连接的不同超导体多芯线的Nb丝相互混合，相互搭接，并用Cu丝绑扎固定；通过沉积方法，使所述接头的Nb丝表面生成一层Cu-Sn合金镀层；将所述的接头从内至外分别套上Nb管和Cu管，并压紧接头，使沉积有Cu-Sn合金镀层的Nb丝紧密镶嵌在Nb管和Cu管内；在接头外层包覆耐高温绝缘材料后，固定安装在线圈指定位置；将接头热处理，在Nb3Sn超导体多芯线接头处通过固态扩散生成Nb3Sn超导桥接层，实现接头的超导连接。这种方法制备的青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线的接头在超导温度下能保持低电阻、低损耗。 |
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