| 专利名称 | 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN200910306635.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101645471 | 公开（授权）日 | 2010.02.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 白云;刘键;麻芃;朱杰;饶志鹏;刘新宇;郭丽伟 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法 至一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领 域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、 Al0.65Ga0.35N层、两个Al0.45Ga0.55N层、两个Al0.2Ga0.8N层和两个GaN层，其中，Al0.45Ga0.55N层 和其相邻的一个层之间形成一个pn结，Al0.2Ga0.8N层和其相邻的一个层之间形成一个pn结， GaN层和其相邻的一个层之间形成一个pn结。本发明的全波段紫外探测器可以实现在一套系 统内根据要求进行不同波段之间的转换探测，减少了使用成本，便于在实际工作中进行操作 。 |
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