| 专利名称 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201210030512.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544368A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;陆丛研;姬濯宇;商立伟;王宏;刘欣;韩买兴;陈映平 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 至一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体层；以及在金属氧化物半导体层表面上沉积生长一层金属电极。本发明的有机薄膜晶体管，具有性能高、工艺简单、重复性好，并且相对传统工艺制备的有机薄膜晶体管成本又明显降低。 |
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