| 专利名称 | 利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法 | 申请号 | CN201210014615.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102544040A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 叶交托;罗乐;徐高卫;王双福 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法 至利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障